%0 Journal Article
%T CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制
%A 何杰
%A 顾诠
%A 陈维德
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．
%K CoSi
%K 薄膜
%K 薄膜生长
%K 反应机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FE3AD82F2825E540E254E5954012997&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=B34BDD6A690A04C0&eid=64808317C39DF331&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=4