%0 Journal Article
%T 高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象
%A 施卫
%A 梁振宪
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．
%K 砷化镓
%K 光电导开关
%K 半导体光电器件
%K 光激发畴
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DB6E928E316995F9&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8E6AB9C3EBAAE921&eid=11B4E5CC8CDD3201&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=8&reference_num=1