%0 Journal Article
%T SIMOX材料隐埋氧化层中针孔密度的表征和形成机理定性分析
%A 竺士炀
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料中隐埋氧化层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的针孔漏电可使器件完全失效．本文用ＣｕＳＯ４电解电镀法测定了不同工艺条件制备的ＳＩＭＯＸ材料ＢＯＸ中的针孔密度，并用改进的二维ＩＲＩＳ程序定性分析了引起针孔的杂质临界颗粒尺寸．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8478A1DE8217C5AF&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=B1E36BF7B9783A85&eid=8ED630AD8C61FAE8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0