%0 Journal Article
%T 短周期(Ge)_n(Si)_n应变超晶格电子结构的自洽赝势计算
%A 范卫军
%A 顾宗权
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 在局域密度近似下,用第一原理自洽赝势的方法计算了短周期超晶格(Ge)_1(Si)_1和(Ge)_2(Si)_2的能带结构。结果表明(Ge)_1(Si)_1是间接带,导带最低点在布里渊区的X点。(Ge)_2(Si)_2也是间接带,导带最低点在布里渊区M点附近。给出了禁带宽度及自旋轨道分裂值,并与有关的理论和实验做了比较。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=77F5FB77C777DD73&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1F199509C0B6C4D6&eid=6DE26652A1045643&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0