%0 Journal Article
%T RESURF原理应用于SOI LDMOS晶体管
%A 富力文
%A 阎力大
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型曲线；当埋层ＳｉＯ２和Ｓｉ层厚度一定时，Ｓｉ层的杂质浓度存在一个临界值，在此浓度之下，可获得高的击穿电压．这个结论也适用于介质隔离的各种横向器件的击穿特性分析．
%K 晶体管
%K SOI
%K LDMOS
%K RESURF原理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B3774EE87C7FDA04&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=E2B9962CCD971A0D&eid=334C61CAF4C8EF4E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=1