%0 Journal Article
%T 表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
%A 王小军
%A 刘伟
%A 胡雄伟
%A 庄婉如
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs／GaAs应变量子阱材料．单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰．首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs／GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变．
%K 量子阱
%K 砷化镓
%K 半导体物理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=56322CCCD98DE508&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E158A972A605785F&eid=9CF7A0430CBB2DFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3