%0 Journal Article
%T As~＋注入Si_（1－x）Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究
%A 邹吕凡
%A 王占国
%A 孙殿照
%A 何沙
%A 范缇文
%A 张靖巍
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究，并与未注入ＡＳ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的应变弛豫进行了比较．结果表明，退火后，注入ＡＳ_的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ外延层中的应变分布不同于未注入ＡＳ＋的应变分布．对于未注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，其Ｘ射线衍射峰的半宽度ＦＷＨＭ由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽．对于注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，９５０℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤，使晶格得以恢复，且其退火后的
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=86C36FC0C9D727EB&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=59906B3B2830C2C5&sid=7C8C2BAFC9BA0571&eid=114891522AE71A91&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0