%0 Journal Article
%T ~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响
%A 高文钰
%A 严荣良
%A 任迪远
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B619DCE8E8264BDD&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E21B79B0E72C27CC&eid=F434A3C2A19884E7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0