%0 Journal Article
%T SIPOS障的结构织成
%A 谭凌
%A 雷沛云
%A 梁骏吾
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）方法，生长了不同氧含量的ＳＩＰＯＳ（半绝缘含氧多晶硅）膜，研究了ＳＩＰＯＳ膜的结构组成．ＳＩＰＯＳ膜是微晶，多晶和非晶共存的结构，其晶态物中含有缺氧的α－Ｃｒｉｓｔｏｂａｌｉｔｅ（方石英）结构．膜中含氧量可变，以ＳｉＯｘ（ｘ＜２）表示，随着氧含量的增加或减少，其结构向非晶或多晶方向移动．膜中氧原子分布不均匀，局部有氧原子微区集中或缺少现象，使Ｘ＝０或１或２．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=648460D69B75295F&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=59906B3B2830C2C5&sid=38DB5AF4AD8FDCCA&eid=B65E5C7BA0DC04DC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0