%0 Journal Article
%T 高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究
%A 黄宜平
%A 李爱珍
%A 邹斯洵
%A 李金华
%A 竺士炀
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon）技术在n-／n＋／n-衬底上形成的SOI（SiliconOnInsulator）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从100nm到数μm），且硅岛宽度可大于100μm．XTEM结果显示顶层硅／氧化层界面非常平整和均匀．在硅膜厚300nm的FIPOS衬底上采用2μm硅栅工艺制备了N沟和P沟MOS晶体管和21级环形振荡器，环振的门延迟为396ps.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CEA897596BBFD99B&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=9BA5B7BDD4CE0596&eid=F08C87DC7855E316&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0