%0 Journal Article
%T Characteristics of N+ Implanted Layer of 4H-SiC<br>4H-SiCN离子注入层的特性(英文)
%A Wang Shouguo
%A Zhang Yimen
%A Zhang Yuming
%A Yang Li''''nan
%A <br>王守国
%A 张义门
%A 张玉明
%A 杨林安
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了在 4 H- Si C p型外延层上用 N离子注入制备 n型层的方法及其特性 ,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件 TRIM进行了模拟 .为了测试注入层的特性 ,制备了横向肖特基二极管和 TL M(transfer length m ethod)结构 .测得的 N激活浓度为 3.0× 10 1 6 cm- 3,计算出激活率为 0 .0 2 .注入层方块电阻为 30 kΩ/□ ,电阻率为 0 .72 Ω·cm,并计算出电子迁移率为 30 0 cm2 / (V· s) .
%K silicon carbide
%K ion implantation
%K annealing
%K sheet resistance<br>SiC
%K 离子注入
%K 退火
%K 方块电阻
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C85C0104BCF00AB0&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=0522AC581E488FBF&eid=9E9FFC2CDB44A291&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=21