%0 Journal Article
%T Electrical Characterization of 6H-SiC pn Diodes<br>6H-SiC高反压台面pn结二极管
%A WANG Shu-rui
%A LIU Zhong-li
%A LI Jin-min
%A WANG Liang-chen
%A XU Ping
%A <br>王姝睿
%A 刘忠立
%A 李晋闽
%A 王良臣
%A 徐萍
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和接触合金化技术 ,制作台面 pn结二极管 .详细测量并分析了器件的电学特性 ,测量结果表明此 6 H - Si C二极管在室温、空气介质中 ,- 10 V时 ,漏电流密度为 2 .4× 10 - 8A/cm2 ,在反向电压低于 6 0 0 V及接近30 0℃高温下都具有良好的整流特性 .
%K silicon carbide
%K pn junction diode
%K 6H-SiC<br>碳化硅
%K pn结二极管
%K 6H-SiC
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1E03C36302CCE249&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=B7B25E832E7F23D8&eid=25467A5A28500A25&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=14