%0 Journal Article
%T Effects of Doping Al into SiO2 on Electroluminescence from Au/Nanometer (SiO2/Si/ SiO2)/p-Si Structure<br>在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响
%A 王孙涛
%A 陈源
%A 张伯蕊
%A 乔永萍
%A 秦国刚
%A 马振昌
%A 宗婉华
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 Al的面积百分比为 1% .上述两种结构中 Si层厚度均为 1— 3nm ,间隔为 0 .2 nm .为了对比研究 ,还制备了 Si层厚度为零的样品 .这两种结构在 90 0℃氮气下退火 30 m in,正面蒸半透明 Au膜 ,背面蒸 Al作欧姆接触后 ,都在正向偏置下观察到电致发光 (EL ) .在一定的正向偏置下 ,EL强度和峰位以及电流都随 Si层厚度的增加而
%K electoluminescence
%K luminescence center
%K nanometer Si<br>电致发光
%K 发光中心
%K 纳米硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=01916B44C53B5B8A&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=8575BEDA702C4B7C&eid=31611641D4BB139F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0