%0 Journal Article
%T InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质
%A 陈枫
%A 封松林
%A 杨锡震
%A 王志明
%A 赵谦
%A 温亮生
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的导带底分别为１００ｍｅＶ和２１０ｍｅＶ，量子点电子基态的俘获势垒分别为０．４８ｅＶ和０．３０ｅＶ．
%K 砷化铟
%K 自组织生长
%K 量子点
%K 电子基态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=317FBB870A1E26FA&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=238BD7580EFCC5AE&eid=EB58C3052341AAA3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3