%0 Journal Article
%T 用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs
%A 余怀之
%A 吕玉林
%A 刘建平
%A 冯德伸
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下在Ｓｉ衬底上外延生长ＧａＡｓ的初步实验结果．实验表明：Ａｓ＋离子束轰击对于去除Ｓｉ上自然氧化层是有效的，在衬底温度为５５０℃得到ＧａＡｓ单晶．
%K 硅衬底
%K 外延生长
%K 砷化镓
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=109791CAB3E76665&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5D71B28100102720&eid=09ABD5535D9B6D45&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0