%0 Journal Article
%T p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性
%A 张福甲
%A 彭军
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar~+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。
%K 化合物半导体
%K GaP
%K 欧姆接触
%K 冶金
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6DFEAAFB6ED6B503&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=E2546871E5B846EF&eid=BA79719BCA7341D5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2