%0 Journal Article
%T 亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析
%A 张锡盛
%A 何新平
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文建立了包括热载流子发射和界面电荷生成的热载流子蜕变模型,考虑了界面电荷对发射的反馈影响。以PISCES程序为基础,建立了模拟热载流子蜕变的二维程序。模拟并分析了0.75μm MOSFET在不同偏压下的蜕变,模拟结果和实验符合得相当好。
%K 场效应晶体管
%K 载流子
%K 计算机模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5869FBA40722F639&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=856C2E13D1000DB7&eid=D59111839E7C8BDF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3