%0 Journal Article
%T SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性
%A 李金华
%A 林成鲁
%A 林梓鑫
%A 薛才广
%A 邹世昌
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X SIMNI样品在不同温度下作不同时间的N_2,O_2,H_2+ O_2的退火、氧化或外延,以考察SIMNI/SOI结构的工艺稳定性.不同注入剂量的 SIMNI样品在 1000-1200℃的 H_2气氛中烘烤,以考祭高温H_2对该结构的影响.实验结果表明,在高温下,N_2、O_2、H_2+O_2等工艺气氛中,SIMNI结构的电学性质、埋层厚度等都稳定可靠;高温H_2对SIMNI结构的表层Si和埋层Si_3N_4 都有损伤作用.实验指出,提高注N~+剂量有助于提高SIMNI/SOI结构在高温H_2中的稳定性.该结果对 SIMNI/SOI器件工艺和外延工艺有一定的指导意义.
%K SIMNI／SOI
%K 结构
%K 高温
%K 工艺
%K 可靠性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8334A42A54680DA5&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2A3781E88AB1776F&eid=318E4CC20AED4940&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5