%0 Journal Article
%T 用正偏电容测量研究SBD的界面态
%A 陈弘毅
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文描述使用以阻抗测量仪为中心的正偏电容测量系统提取金属-半导体接触界面态参数的方法.该方法用来分析了分子束外延 CoSi_2层与N型Si接触和TiW 合金层与N型GaAs接触的界面态.
%K 肖特基势垒
%K 二极管
%K SBD
%K 界面
%K 测量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E722D8755F03967F&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=D3E34374A0D77D7F&eid=6209D9E8050195F5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2