%0 Journal Article
%T SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响
%A 黄庆安
%A 童勤义
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=43218847B004493C&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=AFB2C35009D5D191&eid=0BD4FAD4A90498AB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0