%0 Journal Article
%T 非对称双势垒结构中电子态的特异性
%A 宋爱民
%A 郑厚植
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 在包络波函数近似下自洽计算了非对称双势垒结构（ＤＢＳ）中的电子态，并正确得到了积累区和中央势阶中准束缚能级Ｅａｃ、Ｅｗｅ随偏压变化的反交叉过程．结果首次揭示了如果适当选取ＤＢＳ的入射垒厚度，随着外加电场不断增加，在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三角势阱的基态能级Ｅｃｏｍ，Ｅｃｏｍ具有很好的二维性，这表明在过共振区ＤＢＳ在入射端积累区中只存在二维电子．
%K DBS
%K 电子态
%K 特异性
%K 半导体结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9CA784F7AD522E84&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=385E3C2062167B88&eid=2E15A588990CC690&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5