%0 Journal Article
%T Influence of Temperatures and Radiation Dose Rate on CMOSDevice Characteristic Parameter<br>环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响
%A 何宝平
%A 姚育娟
%A 彭宏论
%A 张正选
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对 CC40 0 7NMOS器件阈值电压的影响 .研究发现 ,低温 (- 30℃ )辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温 (2 5℃ )多 ,界面态电荷比室温要少 ;受不同 γ剂量率辐射时 ,阈值电压的漂移程度不一样 ,在总剂量相同情况下 ,辐射剂量率高时 ,阈值电压的漂移量也大 ;辐照后 ,NMOS器件 10 0℃退火速度要大于 2 5℃退火速度 ,+5 V栅偏压退火情况要大于浮空偏置情况 .并对以上现象进行了分析和解释
%K temperature
%K dose rate
%K total dose
%K annealing<br>温度
%K 剂量率
%K 总剂量
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D6B001ED832210F6&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=EEAFC972BAD75B1F&eid=839A12D3ACF8C715&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=8