%0 Journal Article
%T 不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究
%A 朱南昌
%A 陈京一
%A 李润射
%A 许顺生
%A 周国良
%A 张翔九
%A 俞鸣人
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文通过Ｘ射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５／Ｓｉ应变层超晶格的结构及其完整性，结果表明：在３５０－５５０℃的低温生长条件下，可生长出较高质量的超晶棺材料，并且在３５０℃时质量最好．在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错，并与生长温度有关．周期厚度有４％以内的波动，层与层之间有轻微的混元，观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象，并进行了讨论．
%K 超晶格材料
%K X射线
%K 双晶衍射
%K 生长
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19829A1876D9E2A62EE15FA2C2302AFC&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7F5DDA4924737DF5&eid=2F56B21F91C9B05B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=6