%0 Journal Article
%T Resistivity Instability in Polysilicon Resistors Under Metal Interco-nnects and Its Suppression by Compensating Ion Implantation<br>集成电路中金属连线下多晶硅电阻的不稳定性分析及抑制方法(英文)
%A YU Ning-mei
%A GAO Yong
%A CHEN Zhi-ming
%A <br>余宁梅
%A 高勇
%A 陈治明
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 作为集成电路的电阻单元 ,掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性 ,尤其在金属连线下更为严重 .分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性 .结果表明 ,阻值的不稳定性主要由载流子迁移率改变引起 .通过测试和运用 Seto’ s模型计算进一步发现 ,在铝连线底下势垒高度和俘获的电荷密度均有降低 .电荷的俘获 /反俘获在多晶硅晶粒边界发生引起势垒高度的变化 ,从而导致阻值不稳定 .然后 ,借助于补偿的离子注入制作了高稳定的、阻值在千欧级的多晶硅电阻 .该方法使得多晶硅晶粒边界电荷的俘获 /反俘获对氢退火不敏感 .
%K polysilicon
%K interconnect<br>多晶硅
%K 互连
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=687E10AA19B37900&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=B99A53AADE50D922&eid=F204392B3B11C3BD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5