%0 Journal Article
%T DX-Like Centers in n-Type Al-Doped ZnS1-xTex Grown by Molecular Beam Epitaxy<br>分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心
%A 卢励吾
%A 张砚华
%A K K Mak
%A Z H M
%A J Wang
%A I K Sou
%A Wei kun Ge
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (～ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类 DX中心引起
%K 分子束外延
%K 宽禁带-族半导体
%K 类DX中心
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=75E55D276AF9D37F&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=769BD58726D66E7D&eid=2DBBF45CC176713E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0