%0 Journal Article
%T 可调能隙的光电器件结构——(AlAs)_ (n_l)/(GaAs)_(m_l)渐变周期超晶格
%A 王恩哥
%A 王鼎盛
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文提出了一种具有渐变周期的(AlAs)_(nl)/(GaAs)_(ml)(1=1,2,…)超晶格,并采用递归方法计算了这种渐变周期超晶格的电子结构.其特点是带隙E_g在空间随(n_(?),m_(?))渐变.例如,对(AlAs)_4/(GaAs)_4(AlAs)_4、/(GaAs)_5/(AlAs)_4/(GaAs)_6/(AlAs)_4/(GaAs)_7结构,带隙由短周期一端的1.93eV变到长周期一端的1.78eV.同时导、价带边得到不同的调制,因而提高了电子与空穴电离率比值,有可能应用到作光电探测材料.
%K 渐变周期超晶格
%K 电子结构
%K 可调带隙
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A776D7D05C7705DC&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=38B194292C032A66&sid=28F8B56DB6BEE30E&eid=5E25104E99903E8A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0