%0 Journal Article
%T Photoluminescence Studies of CdTe and Cd_(1-x)Zn_xTe at Low Temperature<br>碲化镉和碲镉锌的深低温光致发光研究
%A Liu Pulin/National Laboratory for Infrared Physics
%A Chinese Academy of Sciences
%A Shanghai
%A ChinaZhang Suying/
%A <br>刘普霖
%A 张素英
%A W.Ossau
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文报道了用热壁熔体法,布里奇曼法等多种工艺技术制备的 CdTe、Cd_xZn_(1-x)Te单晶体材料和薄膜材料在1.8K深低温下光致发光的测量结果.从光致发光谱中识别出(D~°,X)、(D~+,X)、(A~°,X)、DAP等一系列谱线.逐个分析了它们的物理起源,并由此进一步讨论了晶体中的残留杂质、缺陷、结构完整性、组份均匀性等与材料质量有关的问题.
%K Photoluminescence
%K CdTe
%K Cd_(1-x)Zn_xTe
%K Impurity
%K Defect
%K Composition Inhomogeneity<br>光致发光
%K CdTe
%K Cd_xZn_(?-x)Te
%K 杂质
%K 缺陷
%K 组分不均匀性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3CCCE209729350E2&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=38B194292C032A66&sid=3F0AF5EDBC960DB0&eid=F260CE035846B3B8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0