%0 Journal Article
%T 赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究
%A 刘伟
%A 江德生
%A 张耀辉
%A 金珊
%A 王若桢
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为，发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著，而对较高子带则弱得多，同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁能量及跃迁强度也有不同影响．
%K 电子迁移率
%K 晶体管
%K 光反射谱
%K HEMT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=01E0C9EC98920090&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=12DC19455C3A2FA8&eid=3986B25773CB6C30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4