%0 Journal Article
%T 砷化镓在O_2~＋与Cs~＋离子轰击下二次离子发射的研究
%A 陈新
%A 陈春华
%A 王佑祥
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文研究了各种实验参数对Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中ＧａＡｓ二次离子发射的影响，和样品室中氧分压对ＧａＡｓ二次离子发射的增强效应．实验表明，与Ａｒ－ＳＩＭＳ不同，Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中随Ｅｐ增加二次离子的强度反而有所下降，而样品室注入氧可以提高正二次离子产额，但需要达到较高的氧分压：１０－３Ｐａ．二次离子能量分布测量表明，对Ｏ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝３０Ｖ左右达到最大值，对Ｃｓ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝－２０Ｖ左右达到最大值．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B715B4C959278AED&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F122871CC7EC92DC&eid=7C72DBC13F2D71EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0