%0 Journal Article
%T δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移
%A 程文超
%A 夏建白
%A 郑文硕
%A 黄醒良
%A 金载元
%A 林三镐
%A 瑞恩庆
%A 李亨宰
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性．
%K 硅
%K 掺杂
%K 结构
%K 多量子阱
%K 吸收边
%K 漂移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3AD5E66535A8C491&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=CEFA535D01173730&eid=8566B4AE2A8832E3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1