%0 Journal Article
%T GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法
%A 徐仲英
%A 王建农
%A 王玉琪
%A 葛惟琨
%A 李晴
%A 李树深
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 用分子束外延技术（ＭＢＥ）在ＧａＡｓ量子阱中嵌入ＩｎＡｓ亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的．激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和ＩｎＡｓ层厚度有关．利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好．本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法．
%K 砷化镓
%K 砷铝镓化合物
%K 量子阱
%K MBE
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CD4778123C6EF30E&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8CE1095CD639AEF4&eid=ABF2590617D31FFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3