%0 Journal Article
%T 薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究
%A 程玉华
%A 魏丽琼
%A 孙玉秀
%A 阎桂珍
%A 李映雪
%A 武国英
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变．蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成了电子陷阱电荷（主要分布在漏端附近）所致．文章还对经过Ｌａｔｃｈ应力后，全耗尽ＳＯＩ器件在其他应力条件下的蜕变特性进行了分析．
%K 单晶体管
%K 蜕变
%K MOSFET
%K SOI
%K SIMOX
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=86451AF51E4FF2B3&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=5A751AE9FA58A3FB&eid=C81D738643975BB0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2