%0 Journal Article
%T 新构思硅红外探测器
%A 王迅
%A 叶令
%A 胡际璜
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器．
%K 红外探测器
%K 硅
%K 超晶格
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=81A0D0D6E6B91444&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=9296A146D1D94BC4&eid=37F781FD8E744761&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1