%0 Journal Article
%T 杂质锗对CZ－Si性能的影响
%A 张维连
%A 刘彩池
%A 王志军
%A 冀志江
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 杂质锗对ＣＺ－Ｓｉ性能的影响张维连，刘彩池，王志军，冀志江（河北工学院材料研究中心天津３００１３０）摘要ＣＺ－Ｓｉ中掺入等价元素Ｇｅ后能有效地抑制氧施主的形成速率和降低氧施主最大浓度，提高硅片的机械强度．对其机理进行了简要的探讨．ＰＡＣＣ：８１４０，...
%K CZ－Si中掺入等价元素Ge后能有效地抑制氧施主的形成速率和降低氧施主最大浓度，提高硅片的机械强度．对其机理进行了简要的探讨．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AEC455949F2458CA&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8143FF92EEF26F96&eid=DA4893B5F9885621&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0