%0 Journal Article
%T 多晶硅发射区晶体管的解析模型
%A 马平西
%A 张利春
%A 赵宝瑛
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 在包括了更多的物理效应基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型．把物理参数分为与多晶／单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数，建立了载流子传输机理的特征符号表示系统，给出了晶体管重要特性参数的解析表达式．应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系，并与部分实验结果进行了比较，得到了有关改善ＲＣＡ器件，ＨＦ器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=357E7BC1778ADD14&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=5824536C90612D67&eid=9B95A71E6639C039&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0