%0 Journal Article
%T Dislocation Density in Top Silicon Layer of Low Dose SIMOX Wafer<br>低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度
%A 郑望
%A 陈猛
%A 陈静
%A 林梓鑫
%A 王曦
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke V
%K SOI
%K defect
%K Secco<br>SOI
%K 缺陷
%K Secc
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF466A03B2354F8C&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=1F8584045E0BED57&eid=3893EBCAC6700388&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2