%0 Journal Article
%T Electrical Characterization of n-Type 6H-SiC MOS Capacitors<br>N型6H-SiCMOS电容的电学特性
%A 王姝睿
%A 刘忠立
%A 梁桂荣
%A 梁秀芹
%A 马红芝
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 在可商业获得的 N型 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,制备 MOS电容 .详细测量并分析了 6 H- Si C MOS电容的电学特性 ,其有效电荷密度为 4.3× 10 1 0 cm- 2 ;Si C与 Si O2 之间的势垒高度估算为 2 .6 7e V;Si C热生长 Si O2 的本征击穿场强 (用累计失效率 5 0 %时的场强来计算 )为 12 .4MV/ cm ,已达到了制作器件的要求 .
%K silicon carbide
%K MOS
%K 6H-SiC<br>碳化硅
%K MOS电容
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=20DB18DAB37DD7ED&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B37ED91D1227CC95&eid=61000B595C9AE527&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=17