%0 Journal Article
%T Analysis of Dark Current Characteristic of Novel GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors<br>新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性
%A SHI Yan-li
%A DENG Jun
%A DU Jin-yu
%A LIAN Peng
%A GAO Guo
%A CHEN Jian-xin
%A SHEN Guang-di
%A YIN Jie
%A WU Xing-hui
%A <br>史衍丽
%A 邓军
%A 杜金玉
%A 廉鹏
%A 高国
%A 陈建新
%A 沈光地
%A 尹洁
%A 吴兴惠
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 .
%K novel GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
%K analysis of dark current characteristics<br>新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
%K 暗电流特性分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EEA96CF8CE793D68&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=9296A146D1D94BC4&eid=60E9AACF61B3107F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=5