%0 Journal Article
%T 采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长(英文)
%A 韦欣
%A 马骁宇
%A 王国宏
%A 张广泽
%A 朱晓鹏
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用 MOCVD方法 ,利用二甲基肼为氮源 ,进行了 Ga NAs材料的生长 .利用高分辨 X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分 .采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质 .讨论了不同的镓源对 Ga NAs材料质量和其中的杂质含量的影响 ,结果证明三乙基镓在 Ga NAs的低温生长中比三甲基镓具有更大的优势 .采用三乙基镓生长的 Ga NAs中氮的含量达到 5 .6 88% .光致发光谱的峰值波长为 12 78.5 nm
%K GaNAs
%K 金属有机化学气相沉积
%K 杂质
%K 沾污
%K 高分辨X射线双晶衍射
%K 二次离子质谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=884585A254D991ADF6AC5E4890566D8F&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=90075EB19043D533&eid=18F040DBCB74FFF9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0