%0 Journal Article
%T Spectroscopic Ellipsometry of SiC/Si Heterostructures Formed by C+ Implantation into Crystalline Silicon<br>C~+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱
%A YANG Sheng-hong
%A LI Hui-qiu
%A MO Dang
%A CHEN Di-hu
%A WONG S P
%A <br>阳生红
%A 李辉遒
%A 莫党
%A 陈第虎
%A 黄世平
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较
%K spectroscopic ellipsometry
%K C~+ implantation
%K SiC
%K heterostructure<br>椭偏光谱
%K C~+注入
%K SiC
%K 异质结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=567B491289EF391A&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=708DD6B15D2464E8&sid=3395C64999261B75&eid=4B87E6790C4FD73D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=19