%0 Journal Article
%T A BEEM Study on Effects of Annealing Temperature on Barrier Height Inhomogeneity of CoSi_2/Si Contact Formed in Co-Ti-Si Systems<br>用弹道电子显微术研究 Co-Ti-Si系统的退火温度对 CoSi_2/Si势垒不均匀性的影响(英文)
%A Zhu Shiyang
%A Qu Xinping
%A Ru Guoping
%A Li Bingzong
%A C Detaveriner
%A R L van Meirhaeghe
%A F Cardon
%A <br>竺士炀
%A 屈新萍
%A 茹国平
%A 李炳宗
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 通过在硅 (10 0 )衬底上淀积的 Co(3nm ) /Ti(1nm )双金属层在不同退火温度下的固相反应 ,在硅衬底上制备了超薄外延 Co Si2 薄膜 .在低温下 ,用弹道电子显微术 (BEEM)及其谱线 (BEES)测量了 Co Si2 /Si接触的局域肖特基势垒高度 .对于 80 0℃退火的 Co Si2 /Si接触 ,势垒高度的空间分布基本符合高斯分布 ,其峰值在 5 99me V,标准偏差为 2 1me V.而对于 70 0℃退火样品 ,势垒高度分布很不均匀 ,局域的势垒高度值分布在 15 2 me V到 870 m e V之间 ,这可归因于 Co Si2 薄膜本身的不均匀性
%K BEEM
%K schottky barrier height
%K silicide
%K inhomogeneity<br>弹道电子显微术
%K 肖特基势垒高度
%K 硅化物
%K 不均匀性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EE3D10D08DC233A9&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B31275AF3241DB2D&eid=F3090AE9B60B7ED1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4