%0 Journal Article
%T Multilevel Model of Steady Thermal Simulation for Module Having Multichip and Multisubstrate<br>计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型
%A ZHANG Hong
%A |xin
%A <br>张鸿欣
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次单元 )的上表面温度 ,作为该层次单元下表面的边界条件 ,而把它上表面上的层次单元 (子层次单元 )的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源 .通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值 .提出的层次单元间的耦合强度 (即每轮计算中 ,母层次单元上表面的温度改变不是全部 ,而是部分用于
%K Multilevel Model
%K Thermal Field Simulation
%K Module Having Multichip and Multisubstrate<br>层次模型
%K 热场计算
%K 多芯片多基片模块
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=262192360C94AD01&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=38B194292C032A66&sid=11CEECA6DA9E4AC5&eid=F50A8B5513721E1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6