%0 Journal Article
%T Deposition of Thick SiO2 from Tetraethylorthosilicate and H2O by Plasma-Enhanced CVD<br>采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)
%A LEI Hong-bing
%A WANG Hong-jie
%A DENG Xiao-qing
%A YANG Qin-qing
%A HU Xiong-wei
%A WANG Qi-ming
%A LIAO Zuo-sheng
%A YANG Ji-nan
%A <br>雷红兵
%A 王红杰
%A 邓晓清
%A 杨沁清
%A 胡雄伟
%A 王启明
%A 廖左升
%A 杨基南
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 开展了使用 TEOS和 H2 O混合物进行 PECVD生长 Si O2 膜的研究工作 .氧化硅折射率分布在 1.45 3±0 .0 0 1的范围 ,且随偏离中心距离基本不变 .薄膜厚度是中央大 ,边沿薄 ,其厚度相对变化不超过± 1.5 % (5 1mm衬底 ) .利用 TEOS源 PECVD,并结合退火技术 ,摸索出厚膜氧化硅生长工艺 ,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过 15 μm氧化硅厚膜 ,可用于制备氧化硅平面波导器件 .
%K silicon dioxide
%K plasma-enhanced CVD
%K planar waveguide<br>二氧化硅
%K PECVD
%K 平面波导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=74034D1C2202B9D9&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=BA305A52E2EE9350&eid=4002B7787911C73B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=8