%0 Journal Article
%T Growth of GaN Thin Films on Si(111) Substrates with AlN Buffer Layer by Current Discharge Assisted Pulsed Laser Deposition<br>直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征
%A Tong Xinglin
%A Zheng Qiguang
%A Hu Bing
%A Qin Yingxiong
%A Xi Zaijun
%A Yu Benhai
%A <br>童杏林
%A 郑启光
%A 胡兵
%A 秦应雄
%A 席再军
%A 于本海
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了Ga N薄膜.XRD、AFM、PL 和Hall测量的结果表明在2～2 0 Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高Ga N薄膜的结晶质量;在15 0～2 2 0 m J/ Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,Ga N薄膜表面结构得到改善.研究发现,在70 0℃衬底温度、2 0 Pa的沉积气压和2 2 0 m J/ Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的Ga N薄膜具有良好的结构质量和光电性能.
%K pulsed laser deposition
%K direct current discharge
%K GaN films
%K AlN buffer layer<br>脉冲激光沉积
%K 直流放电
%K GaN薄膜
%K AlN缓冲层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=573FD41166577707&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=0B39A22176CE99FB&sid=31611641D4BB139F&eid=954CE65414DD94CA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=12