%0 Journal Article
%T LPE-GaAs中残留杂质的研究
%A 林兰英
%A 方兆强
%A 周伯骏
%A 朱素珍
%A 向贤碧
%A 吴让元
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X <正> 众所周知,在氢气氛中进行LPE-GaAs生长时,对镓溶液作长时间的热处理,以便排除氧沾污是提高外延层纯度的重要工艺措施.但是我们发现,随着镓溶液处理温度的提高,外延层的电子浓度会逐渐下降,然后转为Ⅰ型材料(见图1),存在着一个型号转变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=92EF9F03DFD5F6266433A321E3A94D1E&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=E158A972A605785F&sid=160561E9A96393DE&eid=4AD4BA66429F5627&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0