%0 Journal Article
%T 用离子注入控制形成多孔硅发光图形
%A 杨海强
%A 鲍希茂
%A 杨志锋
%A 洪建明
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文提出了一种形成多孔硅发光图形的方法。以淀积的Al作掩膜,通过硅自注入使样品选区非晶化。阳极处理使单晶区生成发光区,非晶区成为不发光区,形成多孔硅发光图形,分辨率达2μm。讨论了离子注入对多孔硅形成与发光的影响。
%K 多孔硅
%K 离子注入
%K 发光图形
%K 发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D14701E56651FF9E&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E3691231514F8E11&eid=1F7317C17A9AF4FA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1