%0 Journal Article
%T 单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率
%A 华文玉
%A 陈存礼
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。
%K 金属－半导体
%K 电阻率
%K 多探针
%K 测量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E2209BDCDFBE8B57&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=8D71AF42ACD39979&eid=CB423C9A71560A74&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=2