%0 Journal Article
%T 亚微米厚自支撑单晶Si薄膜的沟道-背散射研究
%A 彭秀峰
%A 龙先灌
%A 王明华
%A 何福庆
%A 郭华聪
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 文中描述了用MeV级质子的背散射测定单晶Si薄膜的厚度、厚度均匀性及膜的表面沾污,用质子沟道效应确定了膜的单晶完整程度及表面沾污对膜沟道特性的影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A225FD71B7D3FFAA&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=10A39635766FF5D0&eid=44E78A5D1B37D836&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0