%0 Journal Article
%T 金属-半导体欧姆接触的接触电阻率
%A 陈存礼
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X <正> 金属-半导体的欧姆接触无论在半导体的器件制造还是半导体物理和材料的性能研究方面都是极其重要的.接触性能的好坏直接影响着器件的质量和材料、物理的研究.接触电阻率ρ_c是标志金属-半导体欧姆接触优劣的一个重要参量.线形传输线模型是测量ρ_c的常用方法之一,对于绝缘衬底上的薄半导体层(例如高阻层上外延、扩散、离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3C1EFDEF8125FE81BCB1FEFC2D7F2F37&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AC1578C6BB9EBDEF&eid=23104246A5FCFCEF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0