%0 Journal Article
%T 用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布
%A 秦国刚
%A 杜永昌
%A 张玉峰
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 测量半导体深中心浓度分布和测量浅杂质浓度分布一样,是一个十分重要的问题.本文提出用C-V 法同时确定半导体中深中心和浅杂质浓度分布的方法,在深中心浓度和浅杂质浓度可比的情况下,它的结果尤为精确.文中讨论了测试原理和测试方法并以掺金硅N~+-P结二极管和汽相外延N型砷化镓肖脱基二极管为例进行了测量.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1256B316A2A7FC2174CBB7EC6B38882&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CFAC5CB624A41AFD&eid=BB0EA31DB1B01173&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0